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涨蒙(f,g)靠近表面显示切换过程的特写镜头。
眼前阴影区域表示用于创建凹度曲线的区域图3-9分类模型精确度图图3-10(a~d)由高斯拟合铁电体计算的凹面积图。此外,然颠通过密度泛函理论计算和原位同步辐射XRD技术表明Cr3+掺杂可以使得TNO具有更快的离子传输路径和增强了结构稳定性。
乘客(f)基于Nb/Ti部分有序结构模型的纯TNO纳米粒子的XRD精修谱图。文献链接:请系全带SynergyofIonDopingandSpiralArrayArchitectureonTi2Nb10O29:ANewWaytoAchieveHigh-PowerElectrodes(DOI:10.1002/adfm.202002665)本文由材料人微观世界编译供稿,请系全带材料牛整理编辑
在过去的十年中,好安随着大量优秀的铁电材料的出现,好安分子铁电材料的研究得到了极大的发展,特别是那些具有多极轴和发光,高自发极化和大压电的铁电材料。铁电体作为具有反向极化的压电材料,别被可以用作允许在电应力和机械应力之间转换的超微换能器。
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